Скачать бесплатную работу можно по короткой ссылке. Ознакомится с содержимым можно ниже.
Введение
1. Расшифровка системы условных обозначений микросхемы К544УД2А.
2. Описание технологии изготовления микросхемы.
3. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы.
3.1 Электрические параметры
4. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы.
4.1 Формовка выводов микросхем
4.2 Лужение и пайка микросхем
Установка микросхем на платы
4.3 Демонтаж микросхем
4.3 Разработка на базе микросхемы К544УД2А
2. Описание технологии изготовления микросхемы.
Технология изготовления микросхемы операционного усилителя К544УД2А заключается в следующих основных технологических процессах:
Фотолитографияэто процесс получения на поверхности пластины требуемого рисунка. Поверхность полупроводника, маскированного оксидной пленкой, покрывают фоторезистором (светочувствительным слоем). Затем для обеспечения равномерности покрытия пластину помещают на центрифугу и сушат. После этого экспонируют поверхности ультрафиолетовым из¬лучением через маску, на которой выполнен требуемый рисунок в виде прозрачных и непрозрачных участков. Участки фото¬резистора, оказавшиеся освещенными, будут задублены, а с не¬освещенных (незадубленных) участков фоторезистр удаляют специальным составом.
Травление используют для того, чтобы с участков, не защищенных задубленным фоторезистором плавиковой кисло¬той, стравить диоксид кремния. В результате в оксидной пленке образуются окна, через которые и производится диффузия.
Диффузия — это процесс, с помощью которого на поверхности или внутри пластины полупроводника получают р-или n-области путем введения акцепторных или донорных примесей. Проникновение примесей внутрь пластины полупроводника происходит за счет диффузии атомов, находящихся в составе паров, в атмосферу которых помещена нагретая до высокой температуры полупроводниковая пластина.
Эпитаксией называют процесс выращивания одного монокристалла на грани другого. Полупроводниковые эпитаксиальные пленки могут быть получены различными способами: термическим испарением в вакууме, осаждением из парообразной фазы, распылением в газовом промежутке. Изменяя тип примеси и условия выращивания можно в широких пределах изменять электрические свойства эпитаксиальной пленки. Следует отметить, что процесс эпитаксии при изготовлении полупроводниковых элементов может заменить процесс диффузии.
Демонтаж микросхем
Если демонтируются микросхемы с пленарными выводами, то следует удалить лак в местах пайки выводов, отпаять выводы по режиму, не нарушающему режим пайки, указанной в паспорте микросхемы, приподнять концы выводов в местах их заделки в гермоввод, снять микросхему с платы термомеханическим путем с помощью специального приспособления, нагреваемого до температуры, исключающей перегрев корпуса микросхемы выше температуры, указанной в паспорте. Время нагрева должно быть достаточным для снятия микросхемы без трещин, сколов и нарушений конструкции корпуса. Концы выводов допускается приподнимать на высоту 0,5… 1 мм, исключая при этом изгиб выводов в местах заделки, что может привести к разгерметизации микросхемы.
При демонтаже микросхем со штырьковыми выводами удаляют лак в местах пайки выводов, отпаивают выводы специальным паяльником (с отсосом припоя), снимают микросхему с платы (не допуская трещин, сколов стекла и деформаций корпуса и выводов). При необходимости допускается (если корпус при¬креплен к плате лаком или клеем) снимать микросхемы термо-механическим путем, исключающим перегрев корпуса, или с помощью химических растворителей, не оказывающих влияния на покрытие, маркировку и материал корпуса.
Возможность повторного использования демонтированных микросхем указывается в ТУ на их поставку.
